新標(biāo)準(zhǔn)新儀器 靜電測(cè)量與常用儀表與ESD試驗(yàn)設(shè)備：　新目錄　　以前目錄  [校準(zhǔn)證書(shū) 檢定證書(shū)] [質(zhì)量保證] 億艾迪(ESD)

EST883C CDM靜電放電模擬器

新版CDM測(cè)試

EST883C 靜電放電仿真器CDM Tester

高精度1%和穩(wěn)定性0.1%

（電子元器件CDM靜電放電敏感度試驗(yàn)）

試驗(yàn)電壓寬(0～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時(shí)漂小于0.1%)

符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn)，

北京華晶匯科技有限公司研制  北京億艾迪科技有限公司生產(chǎn)

1、概述

過(guò)去大家對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)器模型(MM)相當(dāng)重視，而忽視了帶電器件模型(CDM)對(duì)器件造成的損壞。近年的研究證明，在自動(dòng)化程度越來(lái)越高，器件本身帶電所造成的損壞遠(yuǎn)多于HBM和MM。IC等器件本身由于接觸分離及摩擦如從管內(nèi)倒出帶電，在接觸或處理器件如由機(jī)器手或人取出時(shí)會(huì)時(shí)器件會(huì)發(fā)生放電，在流水在線常見(jiàn)的ESD就是典型的CDM靜電放電。CDM與HBM和MM無(wú)論在試驗(yàn)原理方法和程序上都有很大的不同，HBM和MM都是由于IC外部的靜電放電造成IC等器件損壞，通過(guò)對(duì)人員和設(shè)備接地就能控制HBM和MM的發(fā)生，而CDM是器件對(duì)其他物體放電所造成的損壞，從模型的基本理論、測(cè)試原理，試驗(yàn)方法，測(cè)試設(shè)備都完全不同于HBM和MM，而且不可能通過(guò)接地來(lái)控制CDM, 因而CDM成了近年來(lái)電子器件損壞嚴(yán)重、發(fā)生概率大的事件。

EST883C CDM simulator 是按照新的美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014 （替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F） 設(shè)計(jì)的專門(mén)測(cè)試CDM的 模擬器，具有試驗(yàn)電壓寬(±1V～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時(shí)漂小于0.1%)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。

二、技術(shù)指標(biāo)

2. 技術(shù)指標(biāo) (符合并優(yōu)于 新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014的標(biāo)準(zhǔn)：0-1000V)

1.試驗(yàn)電壓：±1V～±1999V （連續(xù)可調(diào)）可從前面板調(diào)節(jié)顯示值

2.電壓顯示： LED，分辨率：±1V

3.試驗(yàn)電壓準(zhǔn)確度：±0.5% ±2字

4.試驗(yàn)電壓穩(wěn)定性：0.1%(小時(shí)，預(yù)熱30分鐘以后)

5. 電流波形記錄接口，傳輸線特性阻抗50Ω，可接數(shù)字存儲(chǔ)示波器。

6. 電場(chǎng)感應(yīng)板：75*75mm

7  放電頭移動(dòng)距離：0～10mm

8. 可更換的放電針

9.世界通用電源電壓：AC85V～265V/40～65Hz

10.功耗：約3W, 重量：約3kg

3. 贈(zèng)送附件

1. CDM校準(zhǔn)模塊 大、小各一個(gè)，

符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn)，替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F

2 衰減器：20dB/6GHz,

3. 50歐姆電纜線（Cable）1米

4. 放電探針（PIN）： 不少于4個(gè)

5. 探針支架  

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