靜電放電及防護(hù)培訓(xùn)大綱

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培訓(xùn)大綱內(nèi)容根據(jù)行業(yè)可分為電子行業(yè)、石化行業(yè)、軍工行業(yè)等

第一講  靜電放電(ESD)介紹

1.1 ESD問題

1.2 ESD定義

1.3 電子工業(yè)中的ESD 問題

第二講  ESD意識(shí)

2.1 ESD意識(shí)

懷疑ESD.大多數(shù)損害發(fā)生在人的感覺以下,各種影響沒有明顯的界限

2.2 ESD培訓(xùn)

   培訓(xùn)誰? 管理培訓(xùn)部門,管理部門的支持,流水線管理培訓(xùn),工人,技術(shù)員

2.3 代表性的內(nèi)容的方法

第三講  靜電學(xué)歷史

3.1 雷電

3.2 靜電

3.4 導(dǎo)體和非導(dǎo)體

3.5 不同類型的電

3.6 靜電的極性

3.7 感應(yīng)

3.8 靜電驗(yàn)電器

3.9 法拉第籠

3.10 麥克斯威方程

3.11 十九世紀(jì)二十世紀(jì)初其它的發(fā)展

3.13 電子工業(yè)中靜電問題史

3.12 其它工業(yè) (石油、化工、火炸藥、造紙、印刷、塑料橡膠等) 靜電問題

第四講  靜電學(xué)基本原理

4.1 接觸起電

4.2 摩擦起電

4.3 摩擦起電系列

4.4 感應(yīng)靜電起電

4.5 其他起電過程

    熱電和壓電起電,亥姆霍茲層,噴射起電,液體中的金屬,流動(dòng)起電

4.6 空氣和其它氣體的擊穿

第五講  靜電學(xué)的理論基礎(chǔ)和數(shù)學(xué)基礎(chǔ)

5.1 靜電力

5.2 電場

5.3  2D 和3D靜電場問題

第六講   靜電起電的物理概念

6.1 分子界面

6.2 固體的能帶結(jié)構(gòu)

    絕緣體,金屬,半導(dǎo)體

6.3 費(fèi)米能級(jí)

6.4 功函數(shù)

6.5 接觸電勢差或伏打電勢

6.6 接觸起電

    一般變量,放電回流,吸附的氣體,功函數(shù)的后果,其他變量的影響

第七講   ESD損壞特性

7.1 ESD 失效的特征

7.2 失效機(jī)理的數(shù)學(xué)模型

7.3 MOS 損壞

   氧化破壞的絕緣性質(zhì), MOS 器件ESD失效的特征, MOS器件EOS 失效的特征, 處理錯(cuò)誤的特征,其它MOS 失效機(jī)理,閉鎖。

7.4 結(jié)的損壞

    ESD 引起結(jié)失效的特征, EOS引起結(jié)失效的特征,Wunsch-Bell模型,Speakman 模型,實(shí)例計(jì)算,Wunsch-Bell模型修正

7.5金屬化損壞

   開路金屬化,短路金屬化,短脈沖過程中絕熱條件的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，金屬化開路是EOS的特征,金屬化開路步聚中ESD開路,因ESD的假設(shè)金屬化開路

7.6可恢復(fù)的損壞

    可恢復(fù)電荷感應(yīng)的失效,以后剌激ESD失效的恢復(fù),短路的和退化結(jié)的恢復(fù),退化的結(jié),短路的結(jié),恢復(fù)機(jī)理,介質(zhì)短路的恢復(fù)。

7.7 累積損壞

7.8 潛在效應(yīng),潛在ESD失效

NAVSEA 和NASA部門的研究對策和原理

NAVSEA 研究結(jié)果, NASA 研究結(jié)果

7.9其它潛在失效研究的結(jié)果

    Martin Marietta 的研究,潛在積累方面的研究, Southhampton 大學(xué)的研究,RIT 研究公司的研究,Sandia 國家實(shí)驗(yàn)室的研究, 英國電信的研究,1986年Literature的研究, 1988年失效分析的研究，TriQuint 半導(dǎo)體對基于鎵砷集成電路的研究,累積效應(yīng),潛在效應(yīng)。

第八講，靜電放電損壞模型

8.1前言

8.2人體模型

人體模型的建立,礦務(wù)局的數(shù)據(jù), 早期的電子工業(yè)模型, 標(biāo)準(zhǔn)人體模型, 人體電容的計(jì)算,Enoch－shaw的人體測量。

8.3 帶電器件模型

    影響ＣＤＭ失效的因素,ＣＤＭ波型圖,ＣＤＭ損壞特性

8.4場感應(yīng)模型

    元件的場感應(yīng)損壞,僅因場強(qiáng)引起的失效,元件的絕緣部分的場感應(yīng),組件類場感應(yīng)模型放電的有效性,研究結(jié)果, ＦIＭ板試驗(yàn)的數(shù)學(xué)分析, 在絕緣導(dǎo)體上感應(yīng)的電勢

8.5機(jī)器模型

8.6場增強(qiáng)模型或人體金屬模型

8.7電容耦合模型（ＣＣＭ）

8.8其它模型

   懸浮器件模型,瞬時(shí)感應(yīng)模型

8.9敏感度分類及試驗(yàn)

第九講 ESD失效分析

  9.1 ESD失效分析概述

  9.2 ESD失效分析的途徑

9.3 元件分析

    初步分析,外包裝分析,物理解剖,剖開,剖開后重新檢查,內(nèi)部觀察,失效點(diǎn)隔離,電子顯微探針,顯微外科,化學(xué)蝕刻,化學(xué)隔離,等離子體蝕刻,液晶態(tài),顯微切片, 掃描電鏡(SEM),SEM電壓對比,電子束感應(yīng)電流,其他特殊技術(shù)

第十講 ＥＳＤ防護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)

10.1 設(shè)計(jì)問題

10.2 ESD免疫設(shè)計(jì)技術(shù)的定義

10.3 電路上的保護(hù)器件

10.4 保護(hù)器件的應(yīng)用,通過薄或厚氧化三極管的NMOS保護(hù), CMOS, SOS ,VLSI

10.5 結(jié)構(gòu)的考慮

10.6 處理的變化和敏感度。

10.7 特殊的輸入保護(hù)器件

10.8 復(fù)合輸入保護(hù)電路

10.9 防護(hù)帶電器件模型的保護(hù)電路

10.10 保護(hù)電路的逆效應(yīng)

10.11 組件的保護(hù)

10.12 組件級(jí)電氣設(shè)計(jì)保護(hù)

第十一講  靜電放電控制

11.1人體接地, 手腕帶, 安全考慮, 腕帶的問題, 推薦的腕帶, 腕帶與地的連結(jié), 腕帶的檢查 ,腕帶的電阻測試

11.2導(dǎo)電地面/導(dǎo)電鞋,導(dǎo)電地面/導(dǎo)電鞋的應(yīng)用,導(dǎo)電地面/導(dǎo)電鞋的問題, 導(dǎo)電貼磚的問題, 導(dǎo)電貼面的問題, 防靜電地毯的問題, 地板拋光的問題,

11.3設(shè)備的接地, 接地工作表面, 進(jìn)一步帶電器件失效的考慮, 綜合設(shè)備的接地, 接地的考慮,獨(dú)立的ESD防護(hù)接地, 導(dǎo)電工作表面的接地, 接地失誤斷路器, 靜電危害材料的防護(hù), 必要的靜電危害材料的防護(hù)

11.4包裝,靜電屏蔽包裝,靜電屏蔽盒, 均勻材料屏蔽袋,多層屏蔽袋,組合或轉(zhuǎn)換袋,防靜電袋。

11.5檢查工作臺(tái), 工作臺(tái)和腕帶的檢測器, 離子消電器,服裝,通�？捎玫姆�裝, 新導(dǎo)電纖維服裝ESD防護(hù)的問題，手套指套，地板他地面覆蓋物, 椅子和桌子,小車.

11.6濕度控制,絕對與相對濕度,獲得高濕度的經(jīng)濟(jì)考慮,

11.7消電器, 高電壓離子消電器, 放射線離子消電器，放射線/脈沖高壓離子消電器, 臺(tái)式離子消電器,感應(yīng)式消電器,使用離子消電器的附加問題

第十二講   防護(hù)產(chǎn)品的測試和評估

12.1 電阻和電阻率的測量

12.2摩擦起電的測量

12.3 靜電衰減測試

12.4 泄漏材料

12.5 電壓監(jiān)測活動(dòng)

12.6 地板和地板拋光物的評價(jià)

12.7 防護(hù)袋的考慮

12.8 椅子和小車

12.9 消電器

第十七講   標(biāo)準(zhǔn)

17.1國外標(biāo)準(zhǔn)

美軍標(biāo)

英國標(biāo)準(zhǔn)

EOS/ESD防電標(biāo)準(zhǔn)

17.2 國家標(biāo)準(zhǔn)

17.3 國家軍用標(biāo)準(zhǔn)

17.4 電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

第二部分、實(shí)驗(yàn)

摩擦起序列實(shí)驗(yàn)

靜電電壓(場)測量

靜電電荷量的測量

防靜電材料電阻(率)測量

靜電的消除

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