電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓
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器件類型 |
靜電破壞電壓(V) |
器件類型 |
靜電破壞電壓(V) |
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VMoS |
30～1800 |
OP-AMP |
190～2500 |
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M0SFET |
100～200 |
JEFT |
140～1000 |
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GaAsFET |
100～300 |
SCL |
680～1000 |
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PROM |
100 |
STTL |
300～2500 |
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CMoS |
250～2000 |
DTL |
380～7000 |
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HMOS |
50～500 |
肖特基二極體 |
300～3000 |
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E／DMOS |
200～1000 |
雙極型電晶體 |
380～7000 |
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ECL |
300～2500 |
石英壓電晶體 |
＜10000 |
從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在乾燥的環(huán)境中人活動所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾千伏到幾萬伏。
